Vishay presenta su nuevo Dual Mosfet SiZF300DT
Vishay Intertechnology, empresa distribuida oficialmente por RC Microelectrónica en España y Portugal, presenta su nueva referencia SiZF300DT, un Dual Mosfet de 30V en configuración de “Half Bridge”, donde se combinan un High Side TrenchFET y Low Side SkyFET con Schottky de recuperación integrados en un compacto encapsulado Power PAIR 3.3m m x 3.3mm.
Este nuevo componente ofrece una mayor densidad de potencia, permitiendo una reducción de tamaño y ahorro de espacio en la PCB, mejorando la eficiencia y entregando mayor corriente.
Con resistencias de conducción muy bajas (<5mOhms) y diseñados para conmutación rápida con capacidades de puerta muy pequeñas (< 20nC). Resulta ideal para el diseño de fuentes de alimentación, POL o convertidores DC/DC, en aplicaciones como Telecom, RadioFrecuencia o PC/Servidores.
Características
- MosFET de potencia TrenchFET Gen IV
- MosFET Low Side SkyFET con Schottky integrado
- 100% Rg y UIS probado
- Configuración de Half Bridge en una superfície de 3,3 mm por 3,3 mm
- Categorización del material: para ver las definiciones de cumplimiento, visitar www.vishay.com/doc?99912
Aplicaciones
- Alimenteción de CPU
- Periféricos de PC / servidor
- POL Convertidor Buck
- Telecomunicaciones DC/DC.
