Nuevos transistores de potencia Innoscience GaN de 100-150V con refrigeración superior
Innoscience Technology, una empresa fundada para crear un ecosistema energético global basado en soluciones de potencia de nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) de alto rendimiento y bajo coste, ha presentado cuatro nuevos transistores de movilidad electrónica mejorada (HEMT) GaN-on-Silicon en su encapsulado En-FCQFN con refrigeración superior. Este diseño aporta beneficios significativos en el rendimiento térmico. Por ejemplo, a 30A, la temperatura de unión con el encapsulado de refrigeración superior se reduce de 52,2°C (en los diseños de refrigeración inferior) a 39,6°C, logrando una mejora del 25%.
Los cuatro transistores de potencia GaN en el nuevo encapsulado En-FCQFN con refrigeración superior incluyen los modelos de 100V INN100EQ 016A/1.8mΩ y 025A/2.8mΩ, así como los dispositivos de 150V INN150EQ 032A/3.9mΩ y 070A/7.0mΩ. Su distribución de pines es compatible con las versiones de encapsulado con refrigeración inferior, y los nuevos dispositivos mantienen las características distintivas de todos los productos de Innoscience: baja resistencia, baja carga de compuerta, bajas pérdidas de conmutación, carga de recuperación inversa extremadamente baja y excelente rendimiento en eficiencia.
Denis Marcon, gerente general de Innoscience Europa, ha comentado: “Gracias a sus excelentes propiedades eléctricas y su empaquetado ultra-miniaturizado, nuestros dispositivos GaN de media y baja tensión han tenido una gran aceptación, especialmente en centros de datos, sistemas fotovoltaicos y de almacenamiento de energía, accionamientos de motores y fuentes de alimentación para comunicaciones. El nuevo empaquetado En-FCQFN con refrigeración superior, que optimiza la gestión térmica, limita aún más el aumento de la temperatura del sistema, ampliando las posibilidades de mercado.”
La serie GaN de 100V~150V de Innoscience también está disponible en encapsulados WLCSP, FCQFN, LGA y otros tipos, cubriendo diferentes resistencias internas y áreas de aplicación. Junto con estos dispositivos, los nuevos encapsulados En-FCQFN con refrigeración superior están disponibles en volúmenes de producción masiva. Especificaciones detalladas de los productos, informes de fiabilidad y modelos de simulación pueden consultarse en www.innoscience.com.
