ROHM y TSMC lanzan una colaboración estratégica en el ámbito de la tecnología de GaN para el automóvil
ROHM y TSMC han iniciado una asociación estratégica para el desarrollo y la producción en serie de dispositivos de potencia de Nitruro de Galio (GaN) para aplicaciones en vehículos eléctricos. La asociación integrará la tecnología de desarrollo de dispositivos de ROHM con la tecnología de proceso GaN sobre silicio de la empresa TSMC, para satisfacer la creciente demanda de propiedades superiores de alta tensión y alta frecuencia sobre silicio para dispositivos de potencia.
Los dispositivos de potencia de GaN se utilizan actualmente en aplicaciones industriales y de consumo, como adaptadores de CA y fuentes de alimentación para servidores. TSMC, empresa puntera en sostenibilidad y fabricación ecológica, da soporte a la tecnología de GaN por sus potenciales beneficios medioambientales en aplicaciones para la automoción, como cargadores de a bordo e inversores para vehículos eléctricos.
“Los dispositivos de GaN, capaces de funcionar a alta frecuencia, son objeto de gran expectación por su contribución a la miniaturización y el ahorro energético, ya que pueden ayudar a lograr una sociedad descarbonizada”, afirma Katsumi Azuma, miembro del Consejo de Administración y Senior Managing Executive Officer de ROHM. “Proporcionando soluciones de GaN fáciles de usar que incluyen circuitos integrados de control para maximizar su rendimiento, tenemos el objetivo de promover la adopción del GaN en la industria del automóvil”.
“Al combinar la experiencia de TSMC en la fabricación de semiconductores con la competencia de ROHM en el diseño de dispositivos de potencia, esperamos superar los límites de la tecnología de GaN y facilitar su implementación en los vehículos eléctricos”.
