Infineon presenta la primera memoria NOR Flash de 512 Mbit endurecida frente a radiación
Infineon Technologies AG anuncia la primera memoria NOR Flash de 512 Mbit con interfaz QSPI (Quad Serial Peripheral Interface) del sector, diseñada para resistir radiación y certificada QML, destinada a aplicaciones en el espacio y en entornos extremos. Este nuevo dispositivo ofrece una interfaz rápida de 133 MHz, la mayor densidad y un rendimiento superior frente a radiación y efectos de eventos singulares (SEE) disponible en una memoria no volátil completamente certificada QML, diseñada para usarse con FPGAs y microprocesadores de grado espacial.
El nuevo dispositivo, desarrollado en parte gracias a la financiación del Laboratorio de Investigación de la Fuerza Aérea de los Estados Unidos (AFRL), Dirección de Vehículos Espaciales, y en colaboración con Microelectronics Research Development Corporation (Micro-RDC), se basa en la probada tecnología SONOS (Silicon-Oxide Nitride-Oxide-Silicon) de Infineon. Ofrece velocidades hasta un 30 % más rápidas que las alternativas de menor densidad.
“Los diseñadores de sistemas de próxima generación para aplicaciones espaciales siguen demandando memorias de alta fiabilidad y densidad. Colaborar con líderes del sector como Infineon y Micro-RDC nos ha permitido desarrollar una solución tecnológica que combina alta densidad, velocidades rápidas de transferencia de datos y un rendimiento superior frente a radiación comparado con otras alternativas, ” comentó Richard Marquez, gerente del Programa de Tecnología Electrónica Espacial del AFRL.
“La memoria NOR Flash endurecida frente a radiación por diseño de Infineon es un complemento ideal para la familia de soluciones de Micro-RDC diseñadas para entornos extremos,” afirmó Joseph Cuchiaro, presidente de Micro-RDC. “Con la disponibilidad de dispositivos de densidad de 512 Mbit, los diseñadores podrán implementar sistemas que cumplan con requisitos estrictos en un rango más amplio de perfiles de misión que antes no era posible.”
“La ampliación de la memoria NOR Flash de 512 Mbit de Infineon a su portafolio de memorias endurecidas frente a radiación es una muestra más de nuestro compromiso por ofrecer memorias altamente fiables y de alto rendimiento para los requisitos espaciales de próxima generación, ” declaró Helmut Puchner, vicepresidente de Aeroespacial y Defensa en Infineon Technologies. “Este esfuerzo colaborativo con AFRL y Micro-RDC impulsa el avance del estado del arte en la industria, abordando los entornos extremos que se encuentran en aplicaciones espaciales con tecnología que mejorará el rendimiento de funciones críticas en satélites.”
La tecnología SONOS de Infineon proporciona una combinación única de densidad, velocidad y rendimiento sobresaliente frente a radiación, con una resistencia excelente de hasta 10.000 ciclos P/E y una retención de datos de hasta 10 años. La interfaz QSPI de 133 MHz permite tasas rápidas de transferencia de datos para procesadores y FPGAs de grado espacial. El dispositivo está disponible en un encapsulado cerámico QFP (QML-V) que ocupa un área de 1” x 1” en la placa, y en un encapsulado plástico TQFP (QML-P) más compacto de 0.5” x 0.8”. Además, el dispositivo ofrece la mejor combinación de densidad y rendimiento TID/SEE para soluciones de código de arranque en FPGAs espaciales y cumple con las certificaciones QML-V/P con DLAM, adaptándose a las especificaciones más estrictas de la industria.
Entre los casos de uso típicos de este dispositivo se incluyen el almacenamiento de imágenes de configuración para FPGAs de grado espacial y el almacenamiento independiente de código de arranque para procesadores multicore de grado espacial.
