La tecnología BiCMOS55 SiGe de ST impulsa las redes móviles del futuro
STMicroelectronics anuncia que su tecnología BiCMOS55 SiGe (Bi-polar Complementary Metal-Oxide - Semiconductor Silicon-Germanium) ha sido seleccionada por la iniciativa europea de investigación y desarrollo (I+D) E3NETWORK para el desarrollo de sistemas de transmisión de elevada eficiencia y alta capacidad en redes móviles de próxima generación.
El uso masivo de datos móviles requiere que las redes soporten mayor capacidad y ratio de datos. Esto implica grandes retos para la infraestructura de backhaul en la transición a arquitecturas avanzadas de red, como Heterogeneous Network & Cloud RAN (Radio Access Network), y bandas de frecuencia superior (como E-band), donde hay más espectro disponible para soportar canales de ratio de datos más rápidos.
Para poder construir estas redes móviles súper-eficientes, los fabricantes de equipos necesitan componentes electrónicos de altas prestaciones que combinen integración de chip a gran escala, mínimo consumo y coste optimizado.
El proyecto E3NETWORK se beneficia de las ventajas de integración y eficiencia de la tecnología BiCMOS55 SiGe de ST para desarrollar Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) con Ft de hasta 320 GHz en litografía de 55 nm. Esta tecnología facilita la inclusión de una sección analógica de alta frecuencia con bloques digitales de elevadas prestaciones, como lógica, convertidores AD/DA y memorias.
E3NETWORK está diseñando un transceptor de banda-E con tecnología BiCMOS55 de ST para infraestructura fronthaul y backhaul, que permite modulaciones de inter-nivel digital en transmisiones “pencil-beam” con ratios de datos de más de 10 Gbps.
La propiedad “pencil-beam” consigue un alto grado de reutilización de frecuencia en el despliegue de enlaces de fronthaul y backhaul y mantiene la eficiencia de espectro en el intervalo de onda milimétrica.
Como un proyecto del Séptimo Programa Marco de investigación de la Unión Europea, E3NETWORK (Energy efficient E-band transceiver for backhaul of the future networks) cuenta con la participación de varias compañías, incluyendo CEIT (España), Fraunhofer (Alemania), Alcatel Lucent (Italia), CEA (Francia), INXYS (España), OTE (Grecia), SiR (Alemania), Sivers IMA (Suecia) y STMicroelectronics (Italia).
Tecnología BiCMOS55 SiGe
La tecnología BiCMOS de ST combina dos procesos diferentes en un mismo chip. Los transistores bipolares ofrecen mejoras en velocidad y ganancia (para secciones analógicas de elevada frecuencia), mientras que los dispositivos CMOS son excelentes a la hora de construir puertas lógicas de bajo consumo.
Al integrar los componentes RF, analógicos y digitales en un solo chip, las soluciones BiCMOS55 SiGe contribuyen a reducir drásticamente el número de elementos externos y optimizar la eficiencia energética.
