RS Iberia, S.A. -
Philips Lumileds Luxeon
LEDs ultraviolat: ocupen un espai de 2,2 mm2 i emeten una alta potència
Els LEDs ultraviolat (UV) Luxeon de Philips Lumileds ocupen un espai de 2,2 mm2, sent els emissors d'alta potència més petits de la indústria, tan sol una cinquena part de la grandària dels LEDs violeta i ultraviolat disponibles al mercat.
Els LEDs Luxeon UV es poden agrupar fermament amb un espai de només 0,2 mm per permetre el desenvolupament de sistemes UV d'alta densitat de potència (W/cm2). Oferint un corrent d'accionament màxima de 1A para un major flux per LED, aquests dispositius d'alta eficiència cobreixen l'espectre 385 a 410 nm i són apropiats per a un control òptic precís. Resulten ideals per a una àmplia gamma d'aplicacions, entre les quals s'inclouen: tractament ultraviolat, detecció de bitllets falsos, espectroscopis, il·luminació en l'àmbit forense, metge i de seguretat, i il·luminació especial com la utilitzada en aquaris i discoteques.
Els LEDs estan basats en el disseny de muntatge superficial de Luxeon Z de xip invertit, que fa que la terminació entri en contacte directe amb el substrat de nitrur d'alumini (AIN) de conductivitat tèrmica, obtenint-se una gestió tèrmica superior. La resistència tèrmica (Rth) és molt baixa, de 3,5 K per watt com a mínim.
Els LEDs Luxeon UV es poden agrupar fermament amb un espai de només 0,2 mm per permetre el desenvolupament de sistemes UV d'alta densitat de potència (W/cm2). Oferint un corrent d'accionament màxima de 1A para un major flux per LED, aquests dispositius d'alta eficiència cobreixen l'espectre 385 a 410 nm i són apropiats per a un control òptic precís. Resulten ideals per a una àmplia gamma d'aplicacions, entre les quals s'inclouen: tractament ultraviolat, detecció de bitllets falsos, espectroscopis, il·luminació en l'àmbit forense, metge i de seguretat, i il·luminació especial com la utilitzada en aquaris i discoteques.
Els LEDs estan basats en el disseny de muntatge superficial de Luxeon Z de xip invertit, que fa que la terminació entri en contacte directe amb el substrat de nitrur d'alumini (AIN) de conductivitat tèrmica, obtenint-se una gestió tèrmica superior. La resistència tèrmica (Rth) és molt baixa, de 3,5 K per watt com a mínim.
