Fotovoltica. Empresas | PV. Companies www.futurenergyweb.es 24 FuturEnergy | Abril-Mayo April-May 2020 trole el contenido de hidrógeno en el proceso de producción celular, puede inhibirse el efecto LeTID y la degradación total de la célula y el módulo será muy baja. La aplicación de silicio dopado con galio Varios fabricantes de células han verificado la oblea de silicio dopada con galio de LONGi, lo que demuestra su eficiencia mejorada y rendimiento anti-PID en comparación con una célula dopada con boro. Los resultados de la prueba para las células LONGi se exponen en la Tabla 2 y la Figura 6. La eficiencia promedio de las células dopadas con galio es un 0,09% mayor que la de las equivalentes dopadas con boro. Aiko Solar ha llevado a cabo pruebas en células dopadas con galio y boro, incluida una prueba de eficiencia con 5 kWh LID (la irradiancia es 900-1.100W/m2, la temperatura de prueba es 55-65 °C) y CID (110 ºC, 0,5 A, 8 horas) como muestra la Tabla 3. Se descubrió que las células dopadas con galio tenían un mejor rendimiento antidegradación que sus equivalentes dopadas con boro. Chint Global llevó a cabo más investigaciones sobre el rendimiento relativo de las células y módulos dopados con galio y boro, como se muestra en la Tabla 4. La oblea de silicio dopada con galio funcionó muy bien, tanto en aplicaciones de células como de módulos. Los fabricantes de células no requieren la configuración de equipos de iluminación o de proceso de regeneración de inyección eléctrica. Desde el punto de vista del control de calidad, este método de resolución del efecto LID en el lado del material es más fiable que en el lado del proceso (por ejemplo, procesos de iluminación y regeneración eléctrica). cells is 0.09% higher than that of borondoped equivalents. Aiko Solar has carried out testing on galliumand boron-doped cells, including an efficiency test where 5 kWh LID (irradiance is 900-1,100W/m2, test temperature is 5565°C) and CID (110ºC, 0.5 A, 8 hours) as Table 3 shows. It was found that galliumdoped cells had better anti-degradation performance than boron-doped equivalents. Chint Global carried out further research on the relative performance of gallium- and boron-doped cells and modules, as shown in Table 4. The gallium-doped silicon wafer performed very well, both in cell and module applications. Cell manufacturers do not require configuration of illumination or electrical injection regeneration process equipment. From the quality control point of view, this method of solving LID on the material side is more reliable than on the process side (e.g. illumination and electrical regeneration processes). Referencias | References 1. Fischer, H. & Pschunder,W. 1973, “Investigation of photon and thermal induced changes in silicon solar cells”, Proc. 10th IEEE PVSC, Palo Alto, California, USA, p. 404 2. J. Schmidt, A.G. Aberle, and R. Hezel, Proc. 26th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (IEEE, New York,1997), p. 13. 3. J. Schmidt, Physical Review B, 69 (2004) 024107. 4. Binaca Lim, “Beyond boron–oxygen deactivation: Industrially feasible LID-free P-type Czochralski silicon”, LID mitigation | Cell Processing. 5. A. Metz, J. Schmidt, A.G. Aberle, and R. Hezel, Proc. 26th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (IEEE, New York,1997), p. 13. 6. Nicholas E. Grant, “Lifetime instabilities in gallium doped monocrystalline PERC silicon solar cells”, Solar Energy Materials and Solar Cells. 7. Daniel Chen, “A Current Perspective on Light and elevated Temperature Induced Degradation (LeTID): Defect Mitigation, Models and Root Cause”, 15th China SoG Silicon and PV Power Conference. Figura 6. Distribución de eficiencia de las células dopadas con galio y dopadas con boro. | Figure 6. Efficiency distribution of gallium-doped and boron-doped cells. Tabla 3. Resultados de las pruebas de las células dopadas con galio y boro de Aiko Solar. | Table 3. Test results of Aiko Solar’s gallium-doped and boron-doped cells. Tabla 4. Resultados de las pruebas de células y módulos dopados con galio y boro de Chint Global. | Table 4. The test results of Chint Global’s gallium-doped and boron-doped cells and modules.
RkJQdWJsaXNoZXIy Njg1MjYx