Fotovoltica. Empresas | PV. Companies FuturEnergy | Abril-Mayo April-May 2020 www.futurenergyweb.es 23 ticristalino, zona flotante y Cz-Si. Esto implica una degradación inicial de por vida, pero generalmente se recupera con el tiempo, con tasas de degradación y recuperación que dependen del historial térmico. Nicholas E. Grant [6] descubrió que el efecto LeTID existe en obleas de silicio monocristalinas dopadas con galio y dopadas con boro (Figura 4.) En las mismas condiciones de recocido, la degradación de una célula PERC dopada con galio es menor que la del equivalente dopado con boro. Para un análisis más detallado de la degradación de la vida útil del silicio dopado con galio y dopado con boro, eliminando la influencia de la metalización de la superficie de la oblea de silicio, las células PERC de galio y boro fueron eliminadas y pasivadas por ALD Al2O3, lo que resultó en un cambio completo en la degradación características, sin degradación para el galio y degradación similar al boro-oxígeno para el boro (Figura 5). Según un informe de investigación de la Universidad de Nueva Gales del Sur [7], el efecto LeTID es causado por una combinación compleja de varias impurezas metálicas e hidrógeno. Al controlar la concentración de hidrógeno, puede inhibirse eficazmente el efecto LeTID. Cuando se usa silicio dopado con galio, ya que no es necesario introducir demasiado hidrógeno para pasivar los defectos de boro y oxígeno, el efecto LeTID se puede controlar fácilmente. Propiedad básica de la oblea de silicio dopada con galio de LONGi Las especificaciones de la oblea de silicio dopado con galio de LONGi se muestran en la Tabla 1. Todos los índices en la tabla se prueban de acuerdo con el estándar GB/T 25076-2018: Oblea de silicio monocristalino para células solares. La dificultad de aplicar obleas de silicio dopadas con galio radica en controlar la resistividad en comparación con el silicio dopado con boro, ya que existe una diferencia significativa entre el coeficiente de segregación de boro (0,75) y galio (0,008). La I+D de LONGi se centra en las características del silicio dopado con galio, para lograr un rango de resistividad razonable y una mayor precisión de dopaje. El objetivo es mejorar el proceso de dopaje con galio a través de un modelo innovador que controla el rango de resistividad de 0,3 a 1,5 Ω.cm, que es casi lo mismo que para el silicio dopado con boro. LONGi también puede proporcionar productos de resistividad correspondientes de acuerdo con la demanda del cliente, en los que puede reducir la probabilidad de un brillo diferente en las imágenes EL en las células. Además, el contenido de oxígeno y carbono y la vida útil del portador de las obleas de silicio dopadas con galio de LONGi son básicamente los mismos que para los productos dopados con boro. En comparación con una oblea de silicio dopado con boro, el silicio dopado con galio evita el efecto LID causado por un defecto de boro-oxígeno. Mientras se conresulting in a complete change in degradation characteristics, with no degradation for gallium and boronoxygen-like degradation for boron (Figure 5). According to a research report by the University of New South Wales [7], LeTID is caused by a complex combination of several metallic impurities and hydrogen. By controlling the concentration of hydrogen, LeTID can be effectively inhibited.When using gallium-doped silicon, since there is no need to introduce too much hydrogen for passivating the boron and oxygen defects, LeTID can be easily controlled. The basic property of LONGi’s gallium-doped silicon wafer The specifications of LONGi’s gallium-doped silicon wafer are shown in Table 1. All indexes in the table are tested according to the standard GB/T 25076-2018: Monocrystalline silicon wafer for solar cells. The difficulty of applying gallium-doped silicon wafers lies in controlling resistivity compared to boron-doped silicon, as there is a significant difference between the segregation coefficient of boron (0.75) and gallium (0.008). LONGi’s R&D focuses on the characteristics of gallium-doped silicon, in order to achieve a reasonable resistivity range and higher doping accuracy. The objective is to improve the gallium-doping process via an innovative model which controls the resistivity range from 0.3 to 1.5 Ω.cm, which is almost the same as that for boron-doped silicon. LONGi can also provide corresponding resistivity products according to customer demand, in which it is able to reduce the probability of different brightness in EL images on cells. Moreover, the oxygen and carbon content and carrier lifetime of LONGi’s gallium-doped silicon wafers are basically the same as for boron-doped products. Compared with a boron-doped silicon wafer, gallium-doped silicon avoids the LID caused by a boron-oxygen defect. As long as the hydrogen content in the cell production process is controlled, LeTID can be inhibited and the total degradation of both cell and module will be very low. The application of gallium-doped silicon LONGi’s gallium-doped silicon wafer has been verified by a number of cell manufacturers, demonstrating its improved efficiency and anti-PID performance when compared to a boron-doped cell. The test results for LONGi cells are set out in Table 2 and Figure 6. The average efficiency of gallium-doped Figura 5. Degradación de una célula PERC de galio y boro después de la separación y pasivación por ALD Al2O3. Figure 5. Degradation of a gallium and boron PERC cell after stripping and passivation by ALD Al2O3. Tabla 2. Propiedad eléctrica de la célula dopada con galio de LONGi y dopada con boro. | Table 2. Electrical property of LONGi’s Gallium-doped and Boron-doped cell. Tabla1. Especificaciones del silicio dopado con galio Table 1. The specifications of gallium-doppeds silicon
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