FuturEnergy | Abril-Mayo April-May 2020 www.futurenergyweb.es 21 LONGi Green Energy Technology cerró un acuerdo global, no exclusivo, de licencia cruzada con Shin-Etsu Chemical el pasado 25 de marzo. Como resultado del acuerdo, cualquier aplicación de productos LONGi que se relacione con la tecnología de dopaje con galio estará legalmente permitida a nivel mundial. El silicio dopado con galio puede resolver eficazmente el efecto LID (Degradación Inducida por la Luz) en un módulo PERC tipo P. LONGi ya ha abordado el problema del alto coste del silicio dopado con galio a través de sus propios esfuerzos tecnológicos y, por tanto, ahora podrá proporcionarlo a toda la industria fotovoltaica. Al mismo tiempo, LONGi se compromete a que el precio del silicio dopado con galio sea el mismo que el del silicio dopado con boro, lo que ayudará a que la energía fotovoltaica sea el método más rentable de generación de energía. Revisión bibliográfica sobre el dopaje de silicio con galio y con boro El silicio monocristalino dopado con boro estándar de la industria actual todavía sufre del efecto LID durante su vida útil. El silicio industrial Czochralski (Cz-Si) contiene cantidades significativas de oxígeno intersticial que, en combinación con el dopaje con boro, puede producir LID y, a su vez, afectar la eficiencia de la célula. Hasta donde sabemos, la primera observación del efecto LID en células solares no irradiadas con partículas fabricadas con obleas de Cz-Si dopado con boro fue realizada por Fischer y Pschunder en 1973 [1], que registraron una fuerte degradación de la corriente de cortocircuito y de la tensión de circuito abierto durante las primeras horas de iluminación hasta que se alcanzó un nivel estable. Curiosamente, el rendimiento inicial de la célula podía recuperarse completamente mediante un recocido a baja temperatura a solo 200 °C. Durante los años siguientes, se hicieron varios intentos para desarrollar unmodelo de defectos que explicara el mecanismo del efecto LID. Algunos de ellos propusieron el mecanismo de impurezas metálicas, pero ninguno de los modelos fue capaz de explicar el ciclo completo de degradación / recuperación observado en la oblea de Cz-Si dopado con boro. No fue hasta que Jan Schmidt [2] propuso un modelo de reacción de defecto completo, que no implicó ninguna impureza metálica, que existió un modelo capaz de explicar la degradación de por vida bajo iluminación (o inyección de portador minoritario en la oscuridad), así como la recuperación de por vida durante LONGi Green Energy Technology entered into a global, non-exclusive, cross-licensing agreement with Shin-Etsu Chemical on 25 March 2020. As a result of the agreement, any application of LONGi products that relates to galliumdoped technology will be legally permitted on a global basis. Gallium-doped silicon can effectively solve LID (Light Induced Degradation) in a P-type PERC module. LONGi has already addressed the problem of the high cost of gallium-doped silicon through its own technological efforts and will therefore now be able to provide this for the whole PV industry. At the same time, LONGi is committed to the price of gallium-doped silicon being the same as that for boron-doped silicon, which will further help PV become the most costeffective method of power generation. Literature review of gallium-doped and boron-doped silicon Today’s industry-standard boron-doped monocrystalline silicon still suffers from LID over its lifetime. Industrial Czochralski silicon (Cz-Si) contains significant amounts of interstitial oxygen which, in combination with boron-doping, can result in LID and, in turn, affect cell efficiency. To our knowledge, the first observation of LID in non-particleirradiated solar cells fabricated on boron-doped Cz-Si wafers was made by Fischer and Pschunder in 1973 [1]. They recorded a strong degradation of short-circuit current and open-circuit voltage during the first hours of illumination until a stable level was reached. Interestingly, the initial cell performance could be completely recovered by a low temperature anneal at only 200°C. Over the following few years, several attempts were made to develop a defect model which explained the mechanism of LID. Some of them proposed the mechanism of metallic impurities, but none of the models were capable of explaining the complete degradation/recovery cycle observed in borondoped Cz-Si. It was not until a complete defect reaction model proposed by Jan Schmidt [2], which did not involve any metallic impurities, that a model existed capable of explaining the lifetime degradation under illumination (or minoritycarrier injection in the dark) as well as the lifetime recovery during annealing EL SILICIO MONOCRISTALINO DOPADO CON GALIO RESUELVE EFECTIVAMENTE EL PROBLEMA LID EN UN MÓDULO PERC Las células PERC dopadas con galio tienen una mayor eficiencia y mejores rendimientos anti-LID y anti-LeTID en comparación con las células dopadas con boro. LONGi está promocionando sus obleas de silicio dopadas con galio para toda la cadena de la industria, para hacer una contribución significativa para reducir la degradación inicial del módulo, reducir los costes de equipos para los fabricantes de células y aumentar los beneficios para la industria fotovoltaica en general. GALLIUM-DOPED MONOCRYSTALLINE SILICON EFFECTIVELY SOLVES THE LID PROBLEM IN A PERC MODULE Gallium-doped PERC cells have a higher efficiency and better anti-LID and anti-LeTID performance compared with boron-doped cells. LONGi is promoting its Galliumdoped silicon wafers for the entire industry chain, to make a significant contribution to reducing initial module degradation, lowering equipment costs for cell manufacturers and increasing profits for the PV industry as a whole. Fotovoltica. Empresas | PV. Companies Figura 1. | Figure 1.
RkJQdWJsaXNoZXIy Njg1MjYx