48 NOVEDADES DE PRODUCTO MOSFET de potencia StrongIRFET 2 de 30 V de Infineon Driver MOSFET fotovoltaico para la industria del automóvil de Vishay LA CARTERA DE PRODUCTOS DE RUTRONIK INCLUYE EL VOMDA1271 DE VISHAY, UN DRIVER MOSFET CERTIFICADO PARA AUTOMOCIÓN CON DESCONEXIÓN RÁPIDA INTEGRADA. INFINEON TECHNOLOGIES AG PRESENTA SU NUEVA CARTERA STRONGIRFET 2 POWER MOSFET 30 V, AMPLIANDO LA FAMILIA STRONGIRFET 2 EXISTENTE PARA HACER FRENTE A LA CRECIENTE DEMANDA DE SOLUCIONES DE 30 V EN EL SEGMENTO DEL MERCADO DE MASAS. El VOMDA1271 obtiene toda la corriente necesaria para controlar sus circuitos internos del emisor infrarrojo del lado primario de baja tensión de la barrera de aislamiento. No se necesita una fuente de alimentación externa para proporcionar VCC, lo que hace que el controlador MOSFET aislado ópticamente sea más rentable. Es fácil de usar, cuenta con la certificación AEC-Q102 y se presenta en un encapsulado SOP-4 que ahorra espacio. Los componentes están disponibles en embalaje de cinta y carrete en www.rutronik24.com. VOMDA1271 cuenta con un apagado rápido integrado, que sólo necesita 0,7 ms (típ.) para apagarse y ofrece un tiempo de encendido de 0,05 ms. Los componentes disponen de una matriz de puerta fotovoltaica y, por lo tanto, no requieren una fuente de alimentación adicional para garantizar la tensión de prueba de aislamiento requerida de 3,750 VRMS. El diseño simplificado resultante permite abaratar costes y reducir las necesidades de espacio. Los controladores aislados ópticamente funcionan de forma fiable en un amplio rango de temperaturas de -40 °C a +125 °C, lo que los hace ideales para su uso en la tecnología de carga de automóviles. Además, los componentes son compatibles con microcontroladores. Las ventajas de un vistazo: • Circuito de desconexión integrado • Certificación AEC-Q102 • Tensión de circuito abierto de 8,5 V típica a I F = 10 mA • Corriente de cortocircuito de 15 μA típica a I F = 10 mA • Tensión de prueba de aislamiento de 3,750 VRMS • Temperatura de funcionamiento de -40 °C a +125 °C • Ejemplos de aplicación: • Relé de precarga de vehículos • Cargadores Powerwall • Controladores de puerta para MOSFET de alto voltaje • BMS • Relés de estado sólido (SSR) personalizados. RUTRONIK www.rutronik24.com Optimizados para ofrecer una gran robustez y facilidad de uso, los nuevos MOSFET de potencia se han diseñado específicamente para satisfacer los requisitos de una amplia gama de aplicaciones del mercado de masas, permitiendo una gran flexibilidad de diseño. Entre estas aplicaciones se encuentran las fuentes de alimentación industriales conmutadas (SMPS), accionamientos de motores, aplicaciones alimentadas por baterías, sistemas de gestión de baterías y sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI). La tecnología StrongIRFET 2 30 V ofrece una mejora de hasta el 40% en R DS (on) y una reducción de hasta el 60% en Q G en comparación con la generación anterior de dispositivos StrongIRFET. Esto se traduce en una mayor eficiencia energética para mejorar el rendimiento global del sistema, al tiempo que proporciona una excelente robustez. Los nuevos MOSFET de potencia también garantizan un diseño sencillo y proporcionan servicios de producto simplificados. La excelente relación precio/rendimiento de la familia de productos la convierte en una opción ideal para los diseñadores que buscan una selección y compra cómodas. Los nuevos componentes ya están disponibles en encapsulado TO-220. A finales de 2024, la cartera estará disponible en una gama más amplia de encapsulados y opciones de disposición de patillas estándar del sector, incluidos DPAK, D²PAK, PQFN y SuperSO8.. INFINEON www.infineon.com Infineon MOSFET de potencia StrongIRFET 2.
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