EF499 - Eurofach Electrónica

46 ELECTRÓNICA DE POTENCIA Se acabaron las barreras para acceder a los dispositivos de potencia de GaN Los dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN) han demostrado ser capaces de lograr que los convertidores de potencia sean más pequeños y eficientes. Por ejemplo, los cargadores USB para dispositivos portátiles pueden tener una tercera parte del tamaño de los dispositivos de silicio. Los cargadores para bicicletas eléctricas hechos con GaN han reducido sus dimensiones un 75%, por lo que caben en una mochila. O pensemos en los convertidores CC/CC para centros de datos: una solución basada en InnoGaN de Innoscience tiene la mitad de tamaño que una de silicio y también es mucho más eficiente ya que reduce el consumo de energía. Hay otros muchos ejemplos. Las ventajas de rendimiento del GaN son bien conocidas y se han superado las dificultades que conlleva el control de HEMT de GaN. Este artículo aborda las preocupaciones que aún puedan tener los diseñadores en cuanto a precio, disponibilidad y fiabilidad. Denis Marcon, Director general de Innoscience Europe Figura 1: Es posible sustituir dos MOSFET de silicio contrapuestos por uno de VGaN. El GaN ofrece ventajas a las aplicaciones por varias razones. En primer lugar, el GaN no tiene corriente de recuperación inversa, lo cual permite usar arquitecturas más sencillas (p. ej., totem pole para corrección del factor de potencia (PFC)). En segundo lugar, el GaN puede funcionar con una frecuencia más alta que el silicio, abriendo así la posibilidad de usar componentes pasivos más pequeños. Y dado que la resistencia en conducción del GaN es mucho más elevada que la del silicio, el dispositivo de GaN es mucho más pequeño; de ahí que de nuevo se pueda disminuir el tamaño de los diseños. Por último, el factor de mérito del GaN (Ron x Qg) es 10 veces mejor, dando así como resultado unos niveles mucho mayores de eficiencia. Por estas razones seguiremos observando una proliferación de dispositivos fabricados con GaN en todo tipo de aplicaciones, entre ellas: consumo, como los cargadores para teléfonos móviles antes citados; industriales, donde el control del motor puede ser más preciso, suave y eficiente; energías renovables, como inversores fotovoltaicos compactos; en comunicaciones con una conversión CC/CC eficiente desde el bus de 48V en el servidor; y en automoción, donde el GaN resulta adecuado para controlar el láser de

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