31 MICROELECTRÓNICA Nacido en la ciudad de Tainan (Taiwán) en 1965, el Dr. Hsin es licenciado por la Universidad Nacional Central, máster por la Universidad Nacional Chiao Tung y doctor por la Universidad de California, San Diego (en Ingeniería Eléctrica). Actualmente ejerce de catedrático del Departamento de Ingeniería Eléctrica de la Universidad Nacional Central (NCU) de Taiwán y es editor en el extranjero tanto de Applied Physics Express (APEX) como del Japanese Journal of Applied Physics (JJAP). Sus enfoques de investigación incluyen el desarrollo de dispositivos y circuitos basados en heteroestructuras y semiconductores de banda prohibida ancha. • 1997: Se incorpora a ANADIGICS, Inc. of Warren, NJ (actualmente Coherent Corp.). Desarrolla MESFET y pHEMT de GaAs para comunicaciones inalámbricas y de fibra óptica. • 1998: Se incorpora al cuerpo docente de la facultad de Ingeniería Eléctrica de la Universidad Nacional Central. • 2004-05: Profesor visitante en la Universidad de Illinois en Urbana Champaing. • 2016-17: Catedrático visitante en la Universidad de California, Los Ángeles (UCLA). • 2019-22: Director del Centro de Investigación Óptica de la Universidad Nacional Central (NCU). INFORMACIÓN DE VENTAS EN LÍNEA Fecha de inicio de venta: septiembre de 2023 Distribuidores en línea: Farnell, DigiKey, y Mouser Los CI serán ofrecidos por otros distribuidores en línea a medida que estén disponibles. N.º de pieza aplicable: BD2311NVX-LB DISEÑOS DE REFERENCIA Los diseños de referencia para LiDAR que incorporan estos nuevos productos junto con los diodos láser EcoGaN de 150 V y de alta potencia de ROHM ya están disponibles en el sitio web de ROHM. Estos diseños pueden utilizarse para reducir la carga de desarrollo. N.º DE PIEZA DE DISEÑO DE REFERENCIA: REFLD002-1 (circuito de onda cuadrada), REFLD002-2 (circuito resonante) https://www.rohm.com/ reference-designs/refld002 ECOGAN Es la nueva gama de dispositivos de GaN de ROHM que contribuyen al ahorro de energía y a la miniaturización al maximizar las características del GaN para lograr un menor consumo de energía en las aplicaciones, PERFIL DEL PROFESOR YUE-MING HSIN unos componentes periféricos más pequeños y diseños más sencillos que requieren menos piezas. EcoGaN es una marca comercial o una marca registrada de ROHM Co., Ltd. n
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