29 MICROELECTRÓNICA Esto requiere mayores avances en el sector de los dispositivos de potencia. Al mismo tiempo, LiDAR, que se utiliza no solo para la conducción autónoma sino también para la monitorización de equipos industriales e infraestructuras sociales, exige luz láser pulsada de alta velocidad para aumentar aún más la precisión del reconocimiento. Dado que estas aplicaciones requieren el uso de dispositivos de conmutación de alta velocidad, en combinación con el lanzamiento de los dispositivos GaN, ROHM ha desarrollado un CI de gate driver de muy alta velocidad que maximiza el rendimiento del GaN. En los sucesivo, ROHM seguirá lanzando productos WLCSP más pequeños para permitir una mayor miniaturización. Dado que los dispositivos de GaN son sensibles a la sobretensión de entrada de compuerta, ROHM ha desarrollado un método exclusivo para suprimir los rebasamientos de la tensión de compuerta y lo ha implementado en este controlador. Además, se puede seleccionar el dispositivo de GaN óptimo ajustando la resistencia de compuerta en función de los requisitos de la aplicación. ROHM también ofrece una gama de dispositivos de GaN bajo el nombre EcoGaN, con la cual contribuye a fomentar una sociedad sostenible a través de soluciones de energía cuando se combinan con circuitos integrados de gate driver que maximizan su rendimiento. El gate driver BD2311NVX-LB con la exclusiva función de supresión de sobretensión de compuerta —cuando se utiliza con productos EcoGaN de ROHM— simplifica aún más el diseño y mejora la fiabilidad de la aplicación. Como ha comentado el profesor YueMing Hsin, Departamento de Ingeniería Eléctrica, de la Universidad Nacional Central (Taiwán): “Esperamos que los dispositivos de GaN sean materiales que puedan demostrar un rendimiento en la gama de alta frecuencia superior al del silicio. En aplicaciones de conmutación de potencia, como los convertidores CC-CC y CA-CC, y en (Fig. 1) (Fig. 2 + 3) aplicaciones LiDAR, el rendimiento de los dispositivos de GaN puede contribuir a que las aplicaciones sean más pequeñas, más eficientes energéticamente y tengan un mayor rendimiento. Por otro lado, para demostrar el rendimiento de los dispositivos de GaN, son esenciales los CI de gate driver que permitan la conmutación a alta velocidad teniendo en cuenta la baja tensión de accionamiento de los HEMT de GaN. Por ello, fijamos nuestra atención en ROHM, cuyo objetivo es maximizar el rendimiento de los dispositivos de GaN mediante el desarrollo de tecnologías de accionamiento de compuerta optimizadas. El profesor Yu-Chen Liu (Universidad
RkJQdWJsaXNoZXIy Njg1MjYx