58 NOVEDADES DE PRODUCTO MOSFET U-MOS X-H de 150 V y alto rendimiento de Toshiba TOSHIBA ELECTRONICS EUROPE GMBH HA LANZADO UN NUEVO MOSFET DE POTENCIA DE CANAL N DE 150 V BASADO EN SU PROCESO U-MOS X-H TRENCH DE ÚLTIMA GENERACIÓN. EL NUEVO DISPOSITIVO (TPH9R00CQ5) ESTÁ DISEÑADO ESPECÍFICAMENTE PARA SU USO EN FUENTES DE ALIMENTACIÓN CONMUTADAS DE ALTO RENDIMIENTO, COMO LAS UTILIZADAS EN ESTACIONES BASE DE COMUNICACIONES, ASÍ COMO EN OTRAS APLICACIONES INDUSTRIALES. Placa Click de posicionamiento preciso de Mikroe MIKROELEKTRONIKA (MIKROE), EMPRESA ESPECIALIZADA EN SOLUCIONES EMBEBIDAS HA LANZADO LA PLACA GNSS RTK 2 CLICK BOARD, UNA PLACA COMPLEMENTARIA COMPACTA QUE SE UTILIZA PARA MEJORAR LA PRECISIÓN DE LOS DATOS DE POSICIÓN DERIVADOS DE SISTEMAS DE POSICIONAMIENTO POR SATÉLITE. Con un valor VDSS máximo de 150V y un flujo de corriente (ID) de 64A, el nuevo dispositivo presenta una resistencia active de drenaje-fuente (RDS(ON)) de solo 9.0mΩ (max). Esto supone una reducción de más del 40% frente a la generación anterior del producto TPH1500CNH1. En las soluciones de alimentación de alto rendimiento que utilizan rectificación síncrona, el rendimiento de recuperación inversa es muy importante. Gracias a la incorporación de un diodo de cuerpo de alta velocidad, el nuevo TPH9R00CQ5 reduce la carga de recuperación inversa (Qrr) en torno a un 74% (a 34nC típ.) en comparación con un dispositivo existente como el TPH9R00CQH. Además, el tiempo de recuperación inversa (trr) de sólo 40ns supone una mejora de más del 40% en comparación con los dispositivos anteriores. Junto con una baja carga de puerta (Qg) de solo 44nC, de sólo 44nC, estas mejoras contribuyen significativamente a reducir las pérdidas y aumentar la densidad de potencia en soluciones de alto rendimiento y potencia eficiente. Una temperatura de canal de 175ºC (máx.) es extraordinaria para los MOSFET con diodo de alta velocidad y ofrecerá al diseñador un mayor margen térmico. El nuevo dispositivo también reduce los picos de tensión creados durante la conmutación, mejorando así las características EMI de los diseños y reduciendo la necesidad de filtros. Está alojado en un versátil encapsulado SOP Advance(N) de montaje superficial quemide sólo 4,9mmx 6,1 mmx 1,0mm. Para ayudar a los diseñadores, Toshiba ha desarrollado un modelo SPICE G0 para verificar rápidamente el funcionamiento del circuito, así como modelos SPICE G2 de gran precisión para reproducir con exactitud las características transitorias. TOSHIBA ELECTRONICS www.global.toshiba Las placas Click siguen un estándar de placa complementaria de prototipado modular inventado por Mikroe, que revoluciona la forma en que los usuarios añaden nuevas funcionalidades a las placas de desarrollo. Las placas Click permiten a los ingenieros de diseño cambiar fácilmente los periféricos, lo que reduce el tiempo de desarrollo en meses. La interfaz de conexión uniforme mikroBUS de Mikroe permite a los diseñadores conectar cualquier placa Click instantáneamente a una placa de desarrollo principal. Muchas de las principales empresas de microcontroladores, como Microchip, NXP, Infineon, Dialog, STM, Analog Devices, Renesas y Toshiba, incluyen ahora el zócalo mikroBUS en sus placas de desarrollo, y la placa GNSS RTK 2 Click es la placa Click número 1300 que lanza Mikroe. La placa GNSS RTK 2 Click incorpora el ZED-F9R, unmódulo GNSS multibanda de calidad profesional con tecnología cinemática en tiempo real (RTK) multibanda integrada de u-blox que ofrece precisión centimétrica. Este módulo utiliza simultáneamente señales GNSS de las cuatro constelaciones GNSS (GPS/QZSS, GLONASS, Galileo y BeiDou) y proporciona una solución RTK multibanda llave en mano fiable con una velocidad de actualización de posición en tiempo real de hasta 30 Hz y los datos completos en bruto de la portadora GNSS. MIKROELEKTRONIKA www.mikroe.com
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