66 SEMICONDUCTORES empresa totalmente integrada, que controla todas las etapas de fabricación, desde el diseño del dispositivo, pasando por el EPI y el procesamiento de las obleas, hasta el análisis de fallos y fiabilidad, es decir, la producción completa de GaN-on-Si, la empresa consigue un alto rendimiento de las obleas y los dispositivos. También significa que los nuevos productos pueden diseñarse y probarse en un plazo de 3 a 6 meses y estar listos para la producción en masa en sólo 6 meses. En la actualidad, Innoscience produce más de 10.000 obleas de GaN-on-Si de 8 pulgadas al mes; esta cifra aumentará hasta 70.000 obleas al mes en 2025. La primera fábrica de Innoscience ya está calificada según la norma ISO9001 y la certificación IATF 16949:2016 para uso en automoción, y los HEMT de GaN están calificados según la norma JEDEC, así como Innoscience realiza más pruebas de fiabilidad avanzadas para probar sus dispositivos. COMBINACIÓN DE PRODUCTOS De forma única para una empresa de GaN, Innoscience ofrece dispositivos que cubren el rango de baja (30-150V) y alta tensión (650V). Los HEMT de GaN de Innoscience (InnoGaN) están disponibles desde 30-150V en encapsulados a escala de chip (csp) que miden de 2x2mm a 2,2x3,2mm con RDS(on) de hasta 5,5mΩ (típico). Las piezas de 650V en DFN y escala de oblea presentan niveles de RDS(on) tan bajos como 106mΩ (típicos). Los HEMT de GaN de Innoscience se utilizan en cargadores USB-PD de hasta 120W y en convertidores LLC. Se encuentran en los racks de alimentación de los centros de datos. En un futuro próximo, se encontrarán en aplicaciones de automoción, como sistemas LiDAR, cargadores a bordo (OBC), convertidores reductores de 48-12V DC/DC y convertidores DC/DC de alta tensión de 650/900V. Las piezas InnoGaN de Innoscience superan a los FET de silicio tradicionales en la iluminación LED. Sorprendentemente, la pieza bidireccional de 40V de Innoscience es la primera vez en el mundo que los HEMT de GaN pueden utilizarse dentro de un smartphone, reduciendo el tamaño de la unidad de protección contra sobretensiones (OVP) dentro del sistema de gestión de la batería (BMS) en al menos un 50%. CONCLUSIÓN Al combinar una tecnología de primera clase, una tecnología de procesamiento de vanguardia y lamayor capacidad de Innoscience comprendió que sólo centrándose en la tecnología GaNon-Si de 8 pulgadas, aumentando drásticamente la fabricación de dispositivos GaNon-Si y controlando sus propias fábricas de producción, sería posible satisfacer las exigencias de la industria electrónica (precio, volumen y seguridad de suministro) Figura 3: Los dispositivos de GaN de Innoscience no muestran una deriva apreciable en la RDS(on) en todo el rango de temperatura y tensión. GaN-on-Si de 8 pulgadas del mundo, Innoscience está respondiendo a los retos de ingeniería y comerciales, permitiendo a los diseñadores que trabajan en todos los sectores del mercado beneficiarse de las ventajas de rendimiento probadas sin penalización de costes.
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