GE prevé un brillante futuro para la tecnología solar de capa fina
Iniciada ya la verdadera carrera para disponer del módulo fotovoltaico más eficiente y más económico del mercado, GE dirige sus esfuerzos de investigación y desarrollo a la tecnología fotovoltaica de capa fina junto con PrimeStar Solar Inc., la empresa emergente de la que GE es inversor mayoritario. Trabajando de cerca con los expertos tecnológicos de PrimeStar, la empresa dedica todo el potencial de sus cuatro centros de investigación global para superar cada uno de los retos necesarios en la introducción un nuevo producto en el mercado.
"Después de completar un estudio exhaustivo del panorama fotovoltaico, decidimos que la capa fina era el mejor camino para GE", afirma Danielle Merfeld, líder de I+D de energía solar de GE. "En concreto, la tecnología de CdTe (Teluro de cadmio) de PrimeStar tiene un gran potencial. Al reunir la especialización en materiales de primera línea, unas capacidades únicas en modelado de sistemas y materiales y diseño, y las más modernas instalaciones de prueba solar en interior y exterior, los investigadores de GE innovan en cada uno de nuestros cuatro centros globales de investigación -literalmente las 24 horas del día- para introducir un producto altamente avanzado en el mercado".
El producto de GE/PrimeStar está siendo desarrollado en la sede de PrimeStar en Arvada, Colorado, abarcando aspectos como la eficiencia del dispositivo, la fiabilidad, los costes de instalación y producción, y la fabricabilidad. Cientos de tecnólogos en Alemania, China, India y Estados Unidos trabajan actualmente en tecnologías solares de GE, afrontando estos retos del modo siguiente:
El equipo de Múnich, en pleno corazón de la industria solar global, utiliza instalaciones de prueba de sistemas solares en interior y exterior, donde estudian el rendimiento del módulo acabado para identificar y tratar los mecanismos de degradación y los problemas de acondicionamiento. Además de centrarse en el módulo mismo, este equipo también aporta un profundo conocimiento del sistema. Esto les permite definir métricas y características optimizadas a nivel del sistema.
En China, donde se encuentra la mayoría de las materias primas de CdTe del mundo, los investigadores en el centro tecnológico de GE en Shanghái concentran sus esfuerzos en materiales de CdTe y en el impacto que estos tienen en el rendimiento de los dispositivos. Mejorar la calidad de los materiales y desarrollar técnicas de caracterización de materiales avanzados son cuestiones clave sobre las que trabaja el equipo de Shanghái.
En India, GE está aprovechando las grandes capacidades de modelado en su centro tecnológico John F. Welch en Bangalore. A diferencia del enfoque exclusivamente experimental adoptado por muchos en este ámbito, GE cree que se realizarán espectaculares mejoras en el rendimiento de los dispositivos gracias a una comprensión más profunda de los materiales y física básica del dispositivo. El equipo de Bangalore tiene como objetivo la construcción de modelos integrales para contribuir en el avanzado diseño del dispositivo.
Por último, el equipo de investigación de GE en Niskayuna, NY, trabaja en todos los aspectos del desarrollo del módulo de CdTe, incluido el desarrollo de los materiales, del dispositivo, y de procesos consistentes. Su especialización técnica abarca diversos campos como el de la química de superficies, el tratamiento de láser, y la física del plasma. También diversa es su experiencia de desarrollo de productos, derivados de otros sectores tecnológicos de GE como la asistencia sanitaria, la iluminación y las baterías.
