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Ambas compañías llevan colaborando desde 2015

ROHM y UAES firman un acuerdo de suministro a largo plazo para dispositivos de potencia de SiC

Redacción Interempresas06/09/2024
ROHM y United Automotive Electronic Systems, uno de los principales proveedores de automoción de primer nivel de China, han firmado recientemente un acuerdo de suministro a largo plazo de dispositivos de potencia de SiC.

Desde 2015, ROHM y UAES han estado colaborando y llevando a cabo intercambios técnicos detallados sobre aplicaciones de automoción que utilizan dispositivos de potencia de SiC. Esta asociación se intensificó en 2020 con la creación del SiC Joint Research Institute (Instituto de Investigación Conjunta de SiC) en la sede de UAES en Shanghái (China). Y en 2021, los avanzados dispositivos de potencia de SiC y componentes periféricos de ROHM recibieron una excelente evaluación por parte de UAES, lo que trajo consigo la elección de ROHM como proveedor preferente.

La estrecha y duradera colaboración técnica ha dado lugar a la producción y adopción de numerosos productos de automoción equipados con dispositivos de SiC de ROHM, como cargadores de a bordo e inversores para vehículos eléctricos. Los dispositivos de potencia de SiC desempeñan un papel crucial en la mejora de la eficiencia y el rendimiento de una gran variedad de sistemas, lo que contribuye a ampliar la autonomía de crucero y a reducir el tamaño de las baterías.

Guo Xiaolu, Deputy General Manager de UAES (a la derecha), conTsuguki Noma...

Guo Xiaolu, Deputy General Manager de UAES (a la derecha), conTsuguki Noma, Corporate Officer y director de la Unidad de Negocio de Dispositivos de Potencia de ROHM (a la izquierda).

Este acuerdo de suministro a largo plazo garantiza a UAES un acceso suficiente a dispositivos de potencia de SiC para satisfacer la demanda cada vez mayor de módulos inversores basados en SiC, que se vienen suministrando a los clientes desde noviembre de 2023. En el futuro, ambas empresas profundizarán en su colaboración, lo que contribuirá a la innovación tecnológica en el sector de la automoción gracias a la aceleración del desarrollo de soluciones de potencia de SiC de vanguardia para vehículos eléctricos.

Como comenta Guo Xiaolu, Deputy General Manager, United Automotive Electronic Systems, “la creciente popularidad de los vehículos eléctricos en el mercado chino ha hecho que la adopción e integración de semiconductores de potencia como el SiC sea cada vez más importante. ROHM, fabricante de semiconductores de renombre mundial, es pionero y líder del mercado de dispositivos de potencia de SiC. Desde 2015 hemos participado activamente en intercambios técnicos y valoramos muy positivamente las soluciones propuestas por ROHM que abarcan tanto dispositivos como componentes periféricos. La elección de ROHM como proveedor a largo plazo de chips de SiC garantiza un suministro estable para la futura producción en serie. Valoramos muy positivamente los esfuerzos realizados por ROHM y esperamos construir una relación de colaboración a largo plazo, con este acuerdo como nuevo punto de partida”.

Por su lado, Tsuguki Noma, Corporate Officer and Director de la Unidad de Negocio de Dispositivos de Potencia, ROHM, declara: “estamos muy satisfechos de haber firmado un acuerdo de suministro a largo plazo con UAES, un valioso socio con el que hemos establecido una sólida relación de cooperación a lo largo de los años. Como uno de los principales fabricantes de primer nivel en China, UAES está a la vanguardia del desarrollo de las aplicaciones más avanzadas. Para satisfacer la necesidad de dispositivos de potencia de SiC que mejoren la eficiencia en el mercado de vehículos eléctricos, actualmente en rápida expansión, ROHM ha creado un sistema líder de desarrollo y fabricación dentro de la industria del SiC. Creemos que trabajando conjuntamente, ambas empresas pueden ofrecer aplicaciones de automoción de vanguardia, alto rendimiento y elevada calidad. En el futuro, seguiremos impulsando la innovación tecnológica en los vehículos eléctricos junto con UAES, al ofrecer soluciones de potencia centradas en el SiC”.

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