Convertidor CC/CC para controlador de IGBT/SiC MOSFET
Ventajas
1. Tensión de aislamiento: 5000VAC, aislamiento reforzado
Basado en el diseño de un IC independiente, propio, de Mornsun, el voltaje de aislamiento de la familia QA-R3G es de hasta 5000VAC, superior al de los productos convencionales del mercado (3750VAC). Y la familia QA-R3G puede cumplir con los requisitos de aislamiento reforzado, por lo que la fiabilidad general se ha optimizado considerablemente.
2. Tensión de aislamiento a largo plazo: 1700V
Los IGBT/SiC MOSFET, como dispositivos semiconductores principales, la mayoría de las clases de tensión son 650V/900V/1200V/1700V. De conformidad con la norma IEC-61800-5-1, la familia QA-R3G ofrece una tensión de aislamiento a largo plazo (descarga continua) de hasta 1700V, que puede utilizarse para dispositivos MOSFET IGBT/SiC con tensiones inferiores a 1700V.
3. Mejora del rendimiento en comparación con la serie QA (serie tradicional en Mornsun)
Parametro | QA Series | QA-R3G Series | |
1 | Eficiencia | 80% | 86% |
2 | Rizado | 75mVpp | 50mVpp |
3 | Carga Capacitiva | 220uF | 2200uF |
4 | ESD rendimiento | ±6kV | ±8kV |
Guía para la selección
Aplicaciones
La serie QA_(T)-R3G puede utilizarse ampliamente en el MOSFET IGBT/SiC para la carga de vehículos eléctricos y en soluciones de la industria fotovoltaica.
Características
QA-R3G Series
- Encapsulado SIP ultra-pequeño
- Capacitancia de aislamiento ultra- baja 3,5pF (típ.)
- CMTI>200kV/μs
- Descarga parcial: 2500V
- Tensión de aislamiento: 5000VAC (aislamiento reforzado)
- Max. Carga Capacitiva: 2200µF
- Rango de temperatura de funcionamiento: -40ºC - +105ºC
- Protección continua contra cortocircuitos
QA_T-R3G Series
- Encapsulado en SMD
- Capacitancia de aislamiento ultra- baja: 2.5pF (typ.)
- CMTI>200kV/μs
- Descarga parcial: 2500V
- Tensión de aislamiento: 5000VAC (aislamiento reforzado)
- Max. Carga Capacitiva: 2200µF
- Rango de temperatura de funcionamiento: -40ºC - +105ºC
- Protección continua contra cortocircuitos
- Alta eficiencia de hasta el 86%