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Diodos Schottky de elevada eficiencia

Eurofach Electrónica15/07/2009

Los diodos de silicio usados en fuentes de alimentación en modo conmutado suelen perder hasta un uno por ciento de eficiencia al no “apagarse” inmediatamente. STMicroelectronics lanza unos diodos de carburo de silicio (SiC) que ahorran la energía que se pierde durante la conmutación. Los nuevos diodos Schottky SiC son especialmente útiles en convertidores de energía solar, donde cada unidad porcentual es muy valiosa, así como en fuentes de alimentación para servidores y sistemas de telecomunicaciones que operan continuamente.

Además, al ahorrar el diodo de silicio la energía normalmente disipada como calor, los nuevos dispositivos con tecnología SiC permiten a los diseñadores tener en cuenta un ratio menor de corriente máxima para el diodo. Esto posibilita el uso de pequeños componentes sin sacrificar la potencia útil. En aplicaciones de elevada potencia, los disipadores podrían ser más compactos para crear soluciones de mayor densidad eléctrica. Otro beneficio añadido para los diseñadores de fuentes de alimentación en modo conmutado (SMPS) es que los diodos SiC, como el STPSC806D y STPSC1006D, permiten frecuencias de conmutación superiores, contribuyendo así a reducir el tamaño, el coste y el consumo de condensadores e inductores.

Cuando un diodo de silicio bipolar convencional se apaga, esta carga se puede disipar mediante la recombinación entre grupos de portadores de carga próximos a la unión de diodo. La corriente que fluye durante este periodo de recombinación se denomina “corriente de recuperación inversa”. Esta corriente indeseada, junto con la tensión asociada a las fuentes de alimentación, genera un calor que será disipado por los switches. Al eliminar esta carga de recuperación inversa, los diodos Schottky ofrecen menores pérdidas de conmutación en la tarjeta, aumentan la eficiencia y reducen la disipación de calor.

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