Diodos SiC para PFC de gama alta
RC Microelectrónica es distribuidor para España y Portugal de Vishay Intertechnology.
Vishay ahora ofrece una familia completa de diodos SiC Schottky con voltaje de ruptura de 650 V en encapsulado simple de 2L TO-220AC ThroughHole o encapsulado dual en formato TO-247AD 3L THT en configuración de Cátodo Común.
Esta familia trabaja con corrientes 4 A a 20 A en la configuración individual y con corrientes de 16 A a 40 A en los de configuración dual.
Tecnología SiC
Los diodos Schottky de banda ancha basados en SiC están diseñados para convertidores de CA / CC y CC / CC de alto rendimiento como PFC y rectificación de salida en una CC / CC de frecuencia ultra alta. El diodo SiC es un paso adelante en la eficiencia del convertidor, mejorando la densidad de potencia y la fiabilidad, se reducen las pérdidas de conmutación del interruptor activo, reduciendo el estrés de encendido. Es posible aumentar la frecuencia de conmutación y la densidad de potencia sin problemas de refrigeración.
Beneficios de la tecnología Vishay SiC
El diodo SiC ofrece:
- Prácticamente cero pérdidas de recuperación inversa, invariantes con la temperatura y las condiciones de trabajo.
- Conmutación puramente capacitiva, sin pérdidas dentro del diodo.
- Buen pico de corriente.
- Alta relación entre corriente directa y capacitancia de diodo.
- Baja fuga a alta temperatura.
- Bajas pérdidas inducidas en el interruptor activo.
- EMI mejorado.
Familia de diodos Vishay SiC
La cartera de Vishay SiC cubre la clasificación actual más común de pequeña a grande. Todos los dispositivos tienen tensiones de ruptura de 650 V y una TJ máxima de 175 ° C. Los paquetes disponibles son configuraciones de 2L TO-220AC de un solo diodo o TO-247AD 3L de doble cátodo común.
Más información en NPI Vishay
O si lo desea, contacte con la red comercial de RC Microelectrónica.
